Magnetic Tunnel Junction Bedeutung

Magnetic Tunnel Junction

(MTJ) Magnetische Grenzschicht in Halbleitern, die einen Tunneleffekt aufweist, der sich für die nichtflüchtige Datenspeicherung (MRAM) eignet.
Gefunden auf https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=M&id=16631&page=1

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